- Nuevo
Welcome you to Marketplace
Memoria ram ddr4 16gb silicon power sodimm 2666mhz
- Write a review
127,59 €
Impuestos incluidos
127.59
Características de la Memoria Silicon Power DDR4-2666 CL19 SO-DIMM 16GB SP016GBSFU266X02La memoria Silicon Power DDR4 de 16 GB está diseñada para ampliar la capacidad de memoria de equipos compatibles con módulos SO-DIMM DDR4. Con una velocidad de 2666 MHz, latencia CL19 y funcionamiento a 1.2 V, proporciona unas especificaciones adecuadas para mejorar la multitarea y trabajar con aplicaciones que requieren una mayor cantidad de memoria RAM.16 GB de capacidad para ampliar la memoria del equipoEste módulo incorpora 16 GB de memoria DDR4 en una única unidad, permitiendo incrementar la capacidad disponible para ejecutar varias aplicaciones simultáneamente y afrontar cargas de trabajo exigentes. Es una opción indicada para portátiles, barebones y otros s
Características de la Memoria Silicon Power DDR4-2666 CL19 SO-DIMM 16GB SP016GBSFU266X02
La memoria Silicon Power DDR4 de 16 GB está diseñada para ampliar la capacidad de memoria de equipos compatibles con módulos SO-DIMM DDR4. Con una velocidad de 2666 MHz, latencia CL19 y funcionamiento a 1.2 V, proporciona unas especificaciones adecuadas para mejorar la multitarea y trabajar con aplicaciones que requieren una mayor cantidad de memoria RAM.
16 GB de capacidad para ampliar la memoria del equipo
Este módulo incorpora 16 GB de memoria DDR4 en una única unidad, permitiendo incrementar la capacidad disponible para ejecutar varias aplicaciones simultáneamente y afrontar cargas de trabajo exigentes. Es una opción indicada para portátiles, barebones y otros sistemas compatibles con memoria DDR4 SO-DIMM.
Capacidad: 16 GB
Configuración: 1 x 16 GB
Tipo de memoria: DDR4
Velocidad de 2666 MHz y latencia CL19
La memoria funciona a una frecuencia de 2666 MHz (PC4-21300) y cuenta con una latencia CAS CL19. Esta combinación permite disponer de un rendimiento equilibrado para tareas de multitarea, edición multimedia, virtualización y aplicaciones profesionales, siempre que el equipo sea compatible con sus especificaciones.
Velocidad: 2666 MHz
Clasificación: PC4-21300
Latencia CAS: CL19
Formato SO-DIMM de 260 pines
Gracias a su formato SO-DIMM de 260 pines, el módulo está preparado para equipos que utilizan este tipo de memoria compacta. Antes de realizar la ampliación, es recomendable comprobar que el dispositivo admite DDR4 SO-DIMM a 2666 MHz y módulos de 16 GB.
Formato: SO-DIMM
Número de pines: 260
Compatible con sistemas que admitan DDR4 SO-DIMM
Bajo voltaje y cumplimiento del estándar JEDEC
El módulo trabaja con un voltaje de 1.2 V, característico de la tecnología DDR4 y orientado a mantener un consumo energético contenido. Además, cumple con el estándar JEDEC, proporcionando unos parámetros de funcionamiento normalizados para sistemas compatibles.
Voltaje de funcionamiento: 1.2 V
Estándar: JEDEC
Tecnología DDR4
Otras especificaciones
La Silicon Power SP016GBSFU266X02 cuenta además con diferentes certificaciones y requisitos de conformidad relacionados con compatibilidad electromagnética y normativa medioambiental.
Modelo: SP016GBSFU266X02
Certificación CE
Certificación FCC
Green Dot
WEEE
RoHS
La memoria Silicon Power DDR4 de 16 GB está diseñada para ampliar la capacidad de memoria de equipos compatibles con módulos SO-DIMM DDR4. Con una velocidad de 2666 MHz, latencia CL19 y funcionamiento a 1.2 V, proporciona unas especificaciones adecuadas para mejorar la multitarea y trabajar con aplicaciones que requieren una mayor cantidad de memoria RAM.
16 GB de capacidad para ampliar la memoria del equipo
Este módulo incorpora 16 GB de memoria DDR4 en una única unidad, permitiendo incrementar la capacidad disponible para ejecutar varias aplicaciones simultáneamente y afrontar cargas de trabajo exigentes. Es una opción indicada para portátiles, barebones y otros sistemas compatibles con memoria DDR4 SO-DIMM.
Capacidad: 16 GB
Configuración: 1 x 16 GB
Tipo de memoria: DDR4
Velocidad de 2666 MHz y latencia CL19
La memoria funciona a una frecuencia de 2666 MHz (PC4-21300) y cuenta con una latencia CAS CL19. Esta combinación permite disponer de un rendimiento equilibrado para tareas de multitarea, edición multimedia, virtualización y aplicaciones profesionales, siempre que el equipo sea compatible con sus especificaciones.
Velocidad: 2666 MHz
Clasificación: PC4-21300
Latencia CAS: CL19
Formato SO-DIMM de 260 pines
Gracias a su formato SO-DIMM de 260 pines, el módulo está preparado para equipos que utilizan este tipo de memoria compacta. Antes de realizar la ampliación, es recomendable comprobar que el dispositivo admite DDR4 SO-DIMM a 2666 MHz y módulos de 16 GB.
Formato: SO-DIMM
Número de pines: 260
Compatible con sistemas que admitan DDR4 SO-DIMM
Bajo voltaje y cumplimiento del estándar JEDEC
El módulo trabaja con un voltaje de 1.2 V, característico de la tecnología DDR4 y orientado a mantener un consumo energético contenido. Además, cumple con el estándar JEDEC, proporcionando unos parámetros de funcionamiento normalizados para sistemas compatibles.
Voltaje de funcionamiento: 1.2 V
Estándar: JEDEC
Tecnología DDR4
Otras especificaciones
La Silicon Power SP016GBSFU266X02 cuenta además con diferentes certificaciones y requisitos de conformidad relacionados con compatibilidad electromagnética y normativa medioambiental.
Modelo: SP016GBSFU266X02
Certificación CE
Certificación FCC
Green Dot
WEEE
RoHS
PCOM-P31443
4 Artículos
Ficha técnica
- Volumen
- 0.0001 m³
- EAN / UPC
- 4713436143819
- Referencia del fabricante
- SP016GBSFU266X02
- Peso
- 0.015 kg
