Memoria RAM Samsung M425R1GB4PB0-CWMRS 8GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

Memoria estable y escalable para diversos sistemas informáticos.

La memoria DDR de Samsung ofrece el rendimiento, la capacidad y la fiabilidad necesarios para alimentar diversos entornos informáticos. Desde los exigentes requisitos térmicos y de durabilidad de los sistemas industriales hasta las rigurosas exigencias de rendimiento de las infraestructuras empresariales, nuestras soluciones están diseñadas para cumplir con los estándares más estrictos del sector. La familia DDR permite un procesamiento de datos fluido, un funcionamiento fiable y configuraciones escalables que mantienen un rendimiento estable a medida que las cargas de trabajo aumentan rápidamente.

DDR5

La memoria DDR5 de Samsung ofrece velocidades por pin de hasta 8000 Mbps y admite densidades de hasta 32 Gb, lo que garantiza una mayor integridad de la señal y un funcionamiento estable gracias a la corrección de errores (ECC) integrada. Con apilamiento basado en TSV y una arquitectura de doble subcanal de 32 bits, está optimizada para servicios en la nube con uso intensivo de datos, computación de alto rendimiento y cargas de trabajo empresariales a gran escala.

SODIMM

DIMM de perfil pequeño

Samsung SODIMM ofrece un formato compacto y de tamaño reducido, diseñado para portátiles, mini-PC y sistemas embebidos donde el espacio en la placa es limitado. Gracias a su eficiente señalización y a sus configuraciones flexibles de rango simple o doble, SODIMM proporciona un rendimiento de memoria estable en diseños con espacio reducido.

Especificaciones

Memoria

Capacidad: 8 GB (1 x 8 GB)

Tipo de memoria: DDR5

Velocidad: 5600 MT/s

Clasificación PC: PC5-5600B

Latencia CAS: CL46

Organización: 1R x16, Single Rank

Formato: SO-DIMM de 262 pines

Voltaje: 1,1 V

Tipo de módulo: Sin búfer

ECC: No compatible