Disco duro interno solido ssd samsung 990 pro heatsink 4tb pcie 4.0 nvme
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DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME.Características- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC- Controller: Samsung in-house Controller- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM- Soporte TRIM- Soporte S.M.A.R.T- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)- Soporte Modo Suspensión en dispositivo- Lectura secuencial: 7,450 MB/s- Escritura secuencial: 6,900 MB/s- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPSEntorno- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W- Consumo energético (Id
DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME.
Características
- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escritura secuencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
- Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
- Voltaje soportado: 3.3 V 5 %
- Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura: 0 - 70ºC
- Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
Características
- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escritura secuencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
- Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
- Voltaje soportado: 3.3 V 5 %
- Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura: 0 - 70ºC
- Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
PCOM-P27866
1 Artículo
Ficha técnica
- Volumen
- 0.0003 m³
- EAN / UPC
- 8806094946857
- Referencia del fabricante
- MZ-V9P4T0CW
- Peso
- 0.054 kg
- Tipo de Memoria
- V-NAND TLC
- Ancho
- 25 mm
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- Altura
- 8,88 mm
- Profundidad
- 80,2 mm
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Tipo de embalaje
- Envase para colgar
- Consumo de energía (max)
- 7,8 W
- Periodo de garantía
- 5 año(s)
- NVMe
- Si
- SSD
- 4 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Velocidad de escritura
- 6900 MB/s
- Velocidad de lectura
- 7450 MB/s
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Componente para
- PC/Game console
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Consumo de energía (promedio)
- 5,4 W
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Versión NVMe
- 2.0
- Encriptación de hardware
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
