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Disco duro interno solido ssd samsung 990 pro heatsink 4tb pcie 4.0 nvme
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1.400,81 €
Impuestos incluidos
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DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME.Características- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC- Controller: Samsung in-house Controller- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM- Soporte TRIM- Soporte S.M.A.R.T- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)- Soporte Modo Suspensión en dispositivo- Lectura secuencial: 7,450 MB/s- Escritura secuencial: 6,900 MB/s- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPSEntorno- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W- Consumo energético (Id
DISCO DURO INTERNO SOLIDO SSD SAMSUNG 990 PRO HEATSINK 4TB PCIE 4.0 NVME.
Características
- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escritura secuencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
- Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
- Voltaje soportado: 3.3 V 5 %
- Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura: 0 - 70ºC
- Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
Características
- Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escritura secuencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
- Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
- Voltaje soportado: 3.3 V 5 %
- Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura: 0 - 70ºC
- Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g
PCOM-P27866
9 Artículos
Ficha técnica
- Volumen
- 0.0003 m³
- EAN / UPC
- 8806094946857
- Referencia del fabricante
- MZ-V9P4T0CW
- Peso
- 0.054 kg
