- GENERALProfundidad: 80 mmPeso: 10 gAnchura: 22 mmAltura: 8.3 mmCapacidad: 480 GBFactor de forma: M.2 2280Tipo de memoria flash NAND: 3D triple-level cell (TLC)Interfaz: PCIe 4.0 x4 (NVMe)Tipo de dispositivo: Disco en estado sólido - internoCaracterísticas: Protección contra la pérdida de potencia (PLP), disipador integrado- PARÁMETROS DE ENTORNOTemperatura mínima de funcionamiento: 0 °CTemperatura máxima de funcionamiento: 70 °CTemperatura mínima de almacenamiento: -40 °CTemperatura máxima de almacenamiento: 85 °C- PRESTACIÓNEscrituras en unidad por día (DWPD): 0.4Clase de transmisión: EnterpriseEscritura aleatoria 4KB máxima: 32000 IOPSLatencia media: 29 µsSSD de resistencia: 350.4 TBTasa de datos internos: 7000 MBps (lectura) / 800 MBps (escritur
- GENERAL Profundidad: 80 mm Peso: 10 g Anchura: 22 mm Altura: 8.3 mm Capacidad: 480 GB Factor de forma: M.2 2280 Tipo de memoria flash NAND: 3D triple-level cell (TLC) Interfaz: PCIe 4.0 x4 (NVMe) Tipo de dispositivo: Disco en estado sólido - interno Características: Protección contra la pérdida de potencia (PLP), disipador integrado - PARÁMETROS DE ENTORNO Temperatura mínima de funcionamiento: 0 °C Temperatura máxima de funcionamiento: 70 °C Temperatura mínima de almacenamiento: -40 °C Temperatura máxima de almacenamiento: 85 °C - PRESTACIÓN Escrituras en unidad por día (DWPD): 0.4 Clase de transmisión: Enterprise Escritura aleatoria 4KB máxima: 32000 IOPS Latencia media: 29 µs SSD de resistencia: 350.4 TB Tasa de datos internos: 7000 MBps (lectura) / 800 MBps (escritura) Lectura aleatoria máxima de 4 KB: 530000 IOPS - FIABILIDAD MTBF (tiempo medio entre errores): 2,000,000 horas - EXPANSIÓN Y CONECTIVIDAD Bahía compatible: M.2 2280 Interfaces: 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card - ALIMENTACIÓN Consumo de energía: 3.22 vatios (lectura media), 5.6 vatios (escritura media), 3.29 vatios (escritura mínima), 5.77 vatios (escritura máxima)