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    Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

392,02 €
Impuestos incluidos
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{es: SAMSUNG SSD 990 PRO (MZ-V9P1T0GW) 1TB/PACKAGING BLANCO, en: , pt: , it: , de: }
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{es: Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC, en: , pt: , it: , de: }
Samsung
PCOM-P33390
95 Artículos

Ficha técnica

EAN / UPC
8806094594645
Referencia del fabricante
MZ-V9P1T0GW
Peso
28 g
Tipo de Memoria
V-NAND MLC
Ancho
80 mm
Interfaz
PCI Express 4.0
Altura
24,3 mm
Profundidad
8,2 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Consumo de energía (max)
7,8 W
NVMe
Si
SSD
1 TB
Factor de forma de disco SSD
M.2
Velocidad de escritura
6900 MB/s
Velocidad de lectura
7450 MB/s
Golpes en funcionamiento
1500 G
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Componente para
PC
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Consumo de energía (promedio)
5,4 W
Voltaje de operación
3,3 V
Versión NVMe
2.0
Encriptación de hardware
Si
Lectura aleatoria (4KB)
1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1550000 IOPS
Soporte TRIM
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Función DevSleep
Si

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